Как очищать монокристаллические кремниевые пластины в полупроводниковой промышленности?

По мере развития технологий полупроводниковых материалов устанавливаются все более высокие стандарты для характеристик и качества пластин. Постоянно растущий спрос на пластины большого диаметра, идеально подходящие для микрообработки, продолжает расти.

Современные мировые производители широко используют передовые методы резки, шлифовки, полировки и чистой упаковки, значительно повышая технологию производства пластин. Благодаря внедрению новейших инноваций, достигнуто массовое производство высокопроизводительных пластин, таких как пластины SOI.

Для соответствия сокращающимся правилам проектирования производители пластин увеличили инвестиции в оборудование для производства пластин диаметром 300 мм.

Технология ультразвуочной очистки обеспечивает превосходную эффективность очистки за счет частотного сканирования в разумных пределах. Это движение создает мягкий циркуляционный поток в растворе для очистки, поднимая загрязнения с поверхности пластин и быстро их смывая, обеспечивая более высокую эффективность очистки.

------Monocrystalline Silicon Wafer Reference Picture------

Метод очистки и размещение

Разместите отполированные монокристаллические пластины горизонтально на прорезной кварцевой раме над дном емкости для очистки. Поддерживайте постоянный поток деионизированной воды внутри емкости и запустите ультразвуковые преобразователи, установленные на дне емкости, на частоте 40 кГц.

Переворачивайте каждую пластину каждые пять минут в течение цикла, пока на поверхности пластины не появится темное осадка.

Емкость для очистки оснащена входными и выходными портами на боковой стенке, а ультразвуковые преобразователи установлены снизу. Специальная рама для удержания пластин расположена внутри емкости, с открытой прорезной кварцевой основой, расположенной ниже уровня деионизированной воды. Вся рама поддерживается монтажными ножками. В стандартной эксплуатации кварцевые стержни расположены на высоте 15 см от дна емкости.

Эта горизонтальная схема заменяет традиционную вертикальную очистку пластин. Вертикальное размещение часто задерживает загрязнения на поверхности пластин и блокирует передачу ультразвуковой энергии через мягкие кассеты для пластин, что приводит к неравномерной очистке. Горизонтальная ультразвуковая очистка обладает более простой конструкцией, значительно сокращает расход воды и обеспечивает полную, равномерную очистку всей поверхности пластины.

Ключевые преимущества ультразвуочной очистки пластин

• Вакуумное дегазация удаляет растворённый воздух из раствора. В сочетании с регулируемым движением перемешивания это усиливает удаление загрязнений, сокращая общее время цикла очистки.
• Индивидуальный дизайн вращающейся корзины обеспечивает равномерную очистку интегрированных компонентов и сложных деталей, которые нельзя разобрать.
• Вакуумное вытяжное давление удаляет захваченный воздух из слепых отверстий, узких зазоров и сложенных компонентов, максимизируя эффективность ультразвуковой очистки при пониженном давлении.
• Интегрированная паровая очистка и вакуумная сушка обеспечивают тщательную обработку поверхности и долговременную защиту поверхности.
• Все процессы мойки паром, сушки и нагрева раствора проходят в вакуумных условиях, что значительно повышает безопасность эксплуатации.
• Взрывозащищённые компоненты и упрощённые системы нагрева дополнительно повышают безопасность на объекте.
• Полностью регулируемый автоматический контроль температуры для точного нагрева.
• Встроенные устройства защиты для стабильной и безопасной работы без сбоев.
• Тонкая настройка частоты ультразвукового излучения для адаптации к различным требованиям очистки.

Благодарим за ваше доверие и поддержку. Мы готовы к открытому общению и сотрудничеству по всем вопросам вашего оборудования.

Вы можете связаться с нами по электронной почте ([email protected]) или WhatsApp (+86 17768507147) для получения индивидуальных решений ультразвуковой очистки.

Вопросы и ответы

В: Что такое монокристаллическая кремниевая пластина?

A: Кремний — это реактивный неметаллический элемент и основной кристаллический материал передовых новых материалов. Монокристаллический кремний обладает целостной, однородной решётчатой структурой с направленными физическими свойствами и отличными полупроводниковыми характеристиками. Требуется очень высокая чистота, достигающая 99.9999%, и даже превышающая 99.9999999% для премиальных полупроводниковых grade.

В: Структура монокристаллического кремния

A: Когда расплавленный чистый кремний затвердевает, атомы кремния располагаются в алмазной кубической решётке, образуя непрерывную, упорядоченную однокристаллическую структуру. Монокристаллический кремний проявляет свойства полуметалла с умеренной проводимостью, которая увеличивается с ростом температуры, обеспечивая стабильную работу как внутренний полупроводник при очень высокой чистоте.

В: Применение монокристаллических кремниевых пластин

A: Он служит основным сырьём для изготовления полупроводниковых кремниевых компонентов, широко используется в высокоэффективных выпрямителях, силовых транзисторах, диодах и переключающих электронных устройствах.

В: Процесс производства монокристаллического кремния

A: Подача сырья → Расплавление → Рост шейки → Расширение плеча → Постоянный диаметр роста → Рост хвоста.

В: Альтернативные названия ультразвуковых преобразователей

A: Их чаще всего называют ультразвуковыми преобразователями или элементами ультразвуковой вибрации.

В: Требования к установке ультразвуковых преобразователей

A: Ультразвуковые преобразователи могут быть прочно закреплены на любой плоской, жёсткой металлической поверхности в большинстве промышленных применений.